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华普教育 2023全国名校高考模拟信息卷(三)3l物理试卷答案
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5.天文学上常利用环绕星的运动了解中心星的一些特点,随着梦天实验舱的发射成功,我国的空间站已搭建完成,若知道我国空间站距地面的高度为h,每经过T时间绕地球转一圈,地球半径为R,万有引力常量为G,则可求出地球的密度p为ρA.=3GT^2(RR+h)^3AB.=3GT^2(R+hR)^3C.=3GT^2(Rh)^3D.=3GT^2(hR)^3
华普教育 2023全国名校高考模拟信息卷(三)3l物理第一部分
14.(15分)在芯片制造的过程中,离子注人是一道重要的工序,其中一部分的工作原理示意图如图所示,从离子源由静止释放的离子经电场加速后沿水平方向通过速度选择器,从C点通过磁分析器I选择出特定比荷的离子,经偏转系统Ⅱ后注人水平放置的硅片上。速度选择器和磁分析器中匀强磁场的磁感应强度大小均为B,方向均垂直纸面向外;速度选择器中的匀强电场的电场强度大小为E,方向竖直向上。磁分析器截面是矩形,矩形长为2L,宽为(4一.23)L。其宽和长的中点C和D处各有一个小孔供被选离子通过;圆形偏转系统Ⅱ是半径为L的圆形有界匀强磁场,磁场方向垂直纸面向外,磁感应强度大小可调,离子可以在磁场边界射出,D、M、N在同一条竖直线上,DM为圆形偏转系统的直径,最低点M到硅片的距离MN=L2;已知某种离子的比荷为qm=E2LB^2,不计离子重力。(1)求注入上述离子时加速电压U的大小;(2)通过计算分析说明题目所给比荷的离子进入磁分析器后能否从D处小孔进入圆形偏转系统;(3)若偏转系统磁感应强度大小的取值范围为233BBB3B,求硅片上有离子注入的宽度。
华普教育 2023全国名校高考模拟信息卷(三)3l物理第二部分(待更新)
(4)当把阻值为R0=4的电阻直接接在电源两端,则电源的外部功率与内部功率的差值为N.(结果保留到小数点后两位)为求:(1)如图乙所示状态下气体的温度;(2)保持乙图中气体的温度不变,缓缓把玻璃管向上提起一定的高度,当管内的水银面与槽内水银面在同一水平面时,玻璃管向上提起的高度为多少,
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